第一百二十六章 閃電戰一

在印度首都新德裏，總參謀長卡迪克上將等印度高官剛剛跑到地下指揮中心，一枚導彈就直接衝東北角穿透了印度國防部大樓，想要把印度國防部大樓攔腰炸斷。

不過，爆炸過後，印度國防部大樓隻是殘缺了一個角，這讓一直藏在不遠處的兩名南華聯邦情報總局的特工露出驚訝的目光，從這裏可以想象的到印度國防部大樓的堅硬。

沒等眾人反應過來，又是一枚導彈直接從國防部的大樓頭頂穿透，一直等了好一會才聽見一聲悶響，接著又是一枚導彈從那麽導彈的穿透過的地方飛了進去。

在南華聯邦情報總局特工們的目視之下，一枚枚導彈如同下雨一樣劃過新德裏的天空，然後四散開來奔向自己的目標，印度國防部大樓在挨了十枚導彈之後，終於經受不起這樣的摧毀，開始搖搖欲墜起來，而一旁的印度總統府早已經狼籍一片。

而街道上，大量的平民紛紛從家裏逃了出來，開著車想要離開這個是非之地。

但是那些負責執行宵禁的軍警在出城的各處去堵住了他們的去路。已經瘋狂的平民立刻衝了上去，想要推開軍警所設置的路障，軍警開始鳴響示警。

而兩名混在其中的聯情局特工看到這樣的情況，一邊鼓動著身邊的人衝上去，一邊開始不停的搞著小動作來激化雙方的矛盾。

南華聯邦蘇門答臘軍區指揮部，各種信息正在通過衛星反饋回來，並在作戰指揮沙盤上顯示出來。

此時，第二輪的導彈攻擊已經準備就緒，它們將要攻擊的目標就是第一輪攻擊過後殘餘的，或者攻擊失敗了。

為了這次驗證行動，可以說南華聯邦準備把全國儲備三分之一的中短程導彈全部打了出去，目標覆蓋了印度各邦大多數最有威脅的機場等等，但最主要的是新德裏，孟買，加爾各答三個主要城市。

“命令空軍按照原計劃行動，務必在明天早上，建立空中優勢，消滅所有印度空中力量。”海大江元帥看著作戰沙盤說道。

由於導彈攻擊的突然性，印度方麵並沒有做好充分的準備，很多武器都被導彈給摧毀，而且一些內部的機場也遭到了破壞，一些戰機無法起飛。

不過，由於幾年前印軍戰敗之後就加強了訓練和培訓，還有增加了地下掩體等等，雖然遭受到了如此的打擊，但是地麵搶修和各種預備方案還是讓印軍隻損失了20%的空中力量。

南華聯邦在前線的十多處機場轟鳴起來，一架架銀鷹在塔樓的指揮下飛翔藍天。

與此同時，孟加拉和巴基斯坦的空軍也在同一時刻殺入印度的領空，而印度納薩爾派武裝也在同一時刻對自己領地周圍的各個印軍機場展開了攻擊以及各種重要的目標展開破壞。

此時，如果在太空上印度，幾乎所有的印度境內百分之八十以上的地方都陷入了戰爭狀態。

印度首都新德裏，當卡迪克上將聽到南華空軍侵入領空的消息，立刻明白過來，這次不是簡單的事情，真正的攻擊也許剛剛開始。

“立刻命令所有的空軍回防，拱衛首都一線。”卡迪克上將猶豫了片刻，下達了這樣一個幾乎是放棄所有重要城市的命令。

他知道印度的空軍根本不足以跟南華空軍相抗衡，不如調集所有的空軍回防首都，保證這一線的安全，等待大國的調停。

他知道現在整個印度北方受到導彈第一波打擊之後，整個空中力量已經損失大半，僅剩的那些還停在機庫或者掩體中。

孟買方向的印度空軍此時已經還是有實力的，接到命令之後，一個個精神抖擻的飛行員走上自己的戰機，朝著新德裏方向飛去。

剛剛轉場回到新德裏的印度空軍立刻遭到了早已經準備好的南華空軍的打擊，一直隱藏在高空等待著印軍戰機回來的南華空軍，趁著印軍飛機回場的時候，進行了突然襲擊。

印軍的預警雷達此時才發現自己早已經被對方給幹擾，預警雷達上顯示的畫麵都是華夏空軍釋放的電子詐騙，當卡迪克上將聽到這個消息的時候，幾乎暈了過去。

“鎖定目標，請求發射！”在距離加爾各答東南方的80公裏外的馬圖拉特鎮，十二架F－12戰鬥轟炸機從上空掠過，其中一名飛行員正在向負責指揮預警機報告著。

這個地方是印度中央司令部下屬第一軍的所在地，在這裏有一個防空旅。

雖然剛剛被導彈打擊過，但是為了能夠建立安全的飛行走廊，空軍還是決定把這裏再次清理一邊。

“同意發射！”在預警機上的指揮員同意了他們的攻擊命令，六架F－12戰機下方八枚空對地導彈呼嘯而出，直接奔向遠處的目標，十秒鍾以後，目標被十二枚導彈擊中。

而此時，四架B－11攻擊機組成的四機編隊從一個F－12戰鬥轟炸機的四機編隊旁邊掠了過去，在目標上空投下致命的燃燒彈。

為半導體企業提供生產高純多晶矽材料所需先進工藝技術和設備的全球化供應商黎明·半導體股份有限公司今天祝賀南華聯邦的分公司達到了年產高純度多晶矽3200噸(MTY)的額定產能。

同時，黎明半導體股份有限公司還對向世界最主要的四個半導體生產企業達成的向後者交付11000多噸多晶矽的長期供貨協議表示祝賀。

據黎明半導體股份有限公司發言人介紹，公司的多晶矽生產廠位於南華聯邦蘇拉威西省東南的振興市，該廠生產的純度高於99.99999%(7個9)的太陽能級多晶矽品質出色，足可滿足矽晶圓廠的生產要求。

1972年2月15日，世界主要半導體產業的300多位業內人士齊聚一堂，共同出席了黎明半導體股份公司南華分公司多晶矽廠一期項目的落成典禮儀式。

工廠的一期項目額定年產能為3200噸，是公司瞄準成為麵向全球市場的高純度多晶矽主要供應商這一目標所采取的第一步。

公司計劃到1975年多晶矽年產能達到14500噸。

公司的多晶矽廠一期項目中采用的是改良西門子法(又被稱為直接氯化)的工藝技術，德國西門子公司為這項工藝技術提供了完整的工藝技術包，並為關鍵設備提供了基礎設計包。

德國西門子公司提供的技術包括用於高效生產三氯矽烷(TCS)的流化床反應器的設計，三氯矽烷是生產多晶矽所需的主要原料。

黎明半導體股份公司研究院還以基礎設計包的形式提供了用於生產高純度多晶矽的關鍵設備和工藝技術。

研究院高效的CVD還原爐係統和與之相配套的用於轉換還原爐尾氣中STC到TCS的氫化爐係統相互配合，可以達到對係統氯矽烷的高效回收和利用。

在基礎半導體產業，南華聯邦投入巨資達到接近100多億美元，科技人員10萬多人，使從業人員達到500多萬人並作為一個主要的發展方向。