痛斥魏餘聰的圖樣圖森破之後，程自豪還是得低頭找他請教問題。

主要是對於電機係統他依然不夠熟悉，許多技術細節還要魏餘聰幫著拿捏。

程自豪目前最想搞清楚的問題是：華東電機研究院的產品和KUH之間的差距到底有多大。

雖然從紙麵數據看，應該沒有質差，可是真裝到車上後就不一樣了，這需要學識和經驗。

老實講，魏餘聰對於也不甚了然。畢竟他不是電機專業出來的。

好在馭電能人極多，在程自豪的報告交上去後，蘇權組織電機組的同事，對報告進行分析評價。

最終內部取得共識，劉瓊沒有說謊，這確實是個好東西！

從各方麵看和KUH的產品不相伯仲，唯一的缺點是，隻有一兩台樣機，所以無法做更多的實驗，也就不知道這東西是否存在暗傷。

還有因為是剛出實驗室，所以也確實存在不少細節上的小毛病，比如為了追求散熱效率導致外殼過於複雜，開模加工不便等等。

這些問題確實是減分項目，可真說要減太多也不盡然，減輕馭電工程師的工作量倒是真的。

最後蘇權也挺遺憾，如果早兩天，甚至早一天能知道這事，也許事情就不是現在這個樣子了。

但現在木已成舟，他也沒辦法。

隻是關照質量部和供應鏈團隊，把華東電機研究院列到備用供應商的清單中去。

同時他也考慮親自去一趟，做做實地考察。

華東電機研究院的實力，讓蘇權眼睛一亮。

而且，劉瓊這邊的報價也很有吸引力，比KUH足足便宜了1/3。

看起來好像不是特別多。

但業內人士都知道。

電機這東西看起來是挺高科技高工藝的，可實際上吧，定價方麵卻非常之可憐。

KUH這玩意算得上國際一流水準，但加上運費關稅啥的，報價也就25000人民幣一台。

這還是小批量樣品的價格，後期如果大規模量產且訂貨量足夠多的話，還可以有折扣。

按照馭電電機工程師的說法，電機行業絕大部分情況下，賺的就是個材料錢，其利潤大頭不是來自於技術先進，而是通過大工業生產來降低成本。

基本上電機的售價就是那點材料錢，這年頭銅價飛漲。

成本直線上升，雖然大企業都在期貨市場上開單做套保，可套保也隻能適當降低成本，大宗物品漲價的大趨勢無可避免。

電機企業賺點血汗錢也不容易。

KUH算是利潤率最豐厚的，蘇權和電機組的工程師以及采購總監商量後認為，同樣性能的產品如果讓中國企業生產，那麽價格大概可以做到17000上下。

華東電機研究院表示，如果他們那款代號為KA5的扁線電機進入量產階段的話，成本大致可以控製在一萬出頭。

當然這還要看電機生產廠家卡成本的實力。

RA2的綜合性能相當優秀和KUH的產品在伯仲之間。

然而更讓蘇權心動的地方是，別看華東電機研究院的名氣和KUH沒法比，但在RA2上麵展現出來的誠意和巧思卻讓人尊重到無以複加。

KUH的產品和RA2都不是一個孤零零的電動機，實際上是電機+控製器，形成一個完整的驅動動力係統。

控製器麽，其實也沒多大技術含量，無非是根據中央控製器傳輸過來的電信號來讓電機加速減速或者倒轉。

這玩意的成本也非常透明，裏麵采用的基本都是成熟的貨架產品，毛利率一目了然。

這時候就體現出劉瓊這幫人的厚道來了.

明明東西更便宜，但在控製器上卻花血本地使用了昂貴的第三代半導體的碳化矽。

而KUH的東西貴，用的卻是IGBT。

IGBT全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，中文名稱絕緣柵雙極晶體管。

絕緣柵雙極晶體管其基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。

IGBT結合了場效晶體管柵極易驅動的特性與雙極性晶體管耐高電流與低導通電壓降特性，IGBT通常用於中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控製。大型的IGBT模組應用於數百安培與六千伏特的電力係統領域，其模組內部包含數個單一IGBT元件與保護電路。

簡單地說，這玩意就是控製器的核心。

而碳化矽則是IGBT的下一代產品。

兩者之前倒也不能說是完全的替代關係。

至少目前市場上是共存的，原因是各有優點。

先說IGBT, IGBT的大規模工業化應用開始於上世紀八十年代，投入使用後很快把前代的BJT和MOSFET產品衝得落花流水。

這也不奇怪IGBT本來就是結合兩者的產物，BJT的通導電阻小，但驅動電流大，MOSFET恰恰相反，電阻大，電流小。

把這兩者結合起來後的IGBT完美繼承兩者優點，電流和電阻都小，從而效率更高也更加節能。

當然IGBT本身也有些問題，但在長達四十年的使用中，無數的科研人員和工程師絞盡腦汁去研究，終於讓眼下的IGBT產品達到一個相對完美的程度。

效率和成本的平衡點控製得非常巧妙，簡單來說就是性價比極高，在可以圓滿完成被賦予的任務的前提下，售價很有競爭力。

目前國際市場上歐洲和日本對IGBT情有獨鍾，大量使用，同時依然在投入重金進行研發。

IGBT有個天生的毛病，雖然誕生之初就是為了應對高壓高電流的工作環境，但實際上在IGBT在高電壓環境上表現一般，目前主流產品可以工作在400-600V。

KUH為新產品也是投入了心思，用的是800V級別的產品，價格比主流的自然要高，KUH的對外宣傳資料上為此大肆宣傳，說這是業內首創。

話不算錯，800V級別的產品相當出色，因為體製關係，理論上IGBT很難承受1000V以上的高壓。

這是業內公認的常識之一。

問題是世界上有種生物叫日本人……

你說他們執著也好，執拗也罷，或者腦子有坑也行，一群日本工程師竟然生生地搞出了1200V級別的IGBT,這東西等於是領先現在產品兩代，如果突破生產桎梏後，綜合性能優勢會非常可怕。

並且考慮到日本在成本上的精打細算，IGBT可以是說未來無限。

但很奇怪，作為世界電機第一大國的美國，曾經在IGBT上技術儲備雄厚，但這些年卻走了另一條路，那就是第三代半導體碳化矽。

這個第三代半導體的名字很容易讓人誤解，以為這玩意是替代前兩代的。

實際並非如此，三者是完全並行模式。

第一代半導體就是熟知的矽和鍺，美國人用前者製作芯片乃至計算機CPU，俄國人則用後者，二者的優劣先不去說，總之，這是人類半導體技術的起源，直到現在矽還在兢兢業業地發揮重要作用。

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化镓（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP，主要用於製作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是製作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。

第三代半導體材料主要以碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg2.3eV）半導體材料。在應用方麵，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。

和第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大於2.2ev），也稱為高溫半導體材料。

所以三代同堂，各管一攤。

碳化矽出來後，IGBT的日子就有些不好過了。

碳化矽在日常使用中能夠完美替代IGBT，而且作為半導體材料天生有個優點-省電，缺點也明顯成本高。

大規模的工業生產畢竟是要講經濟效益的，省電的優勢無法覆蓋高成本。

然而到了電動車上，就不一樣了。

電動車當然也要計算成本，但是！

電動車最大的痛點是什麽？

續航啊！

電動車搭著一堆電池到處跑，自然對省電有很高的要求。

據測算，采用碳化矽的電機控製器比用IGBT的，能讓車在正常情況下多7%左右的續航。

看起來不多，但假設以400km的標準續航來計算，7%那就是30km相當可觀了，從人民廣場開到佘山也就這點距離。